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1 nm工艺的实现:半导体技术突破了半导体限制工

时间:2019-04-09 10:58 作者:admin 点击:

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英特尔,台积电和三星三大半导体工厂今年将大规模生产10纳米工艺。我们准备明年启动7nm工艺,520nm工艺计划于2020年左右开始。
然而,随着工艺技术的更新,半导体工艺正在接近其极限,并且制造困难正在变得更大。
由于到目前为止5nm工艺尚未得出明确结论,因此有必要更新晶体管材料和工艺。
此时,美国处于最前沿,美国布鲁克海文国家实验室的研究人员已宣布完成1纳米工艺。
根据EETimes的报告,美国能源部(DOE)的一部分布鲁克海文国家实验室的研究人员宣布创造一项新的世界纪录。他们使用电子束印刷成功制造了仅1纳米的印刷设备。
该实验室的研究人员创造性地使用电子显微镜来制造尺寸比传统电子束(EBL)工艺更小且对电子设备更敏感的材料。通过聚焦电子束大大减少了它们。
创建工具可以改变材料的属性,这是由于来自戏剧线的两种状态中的透射光的相互作用。
结果在能源部的功能纳米材料中心完成,STEM(扫描电子显微镜)用于相距11nm的1nm印刷,每毫米达到万亿次能力。广场。特征密度。
用STEM偏振校正平均值为5nm门控低电阻硅酸盐氢氧化物,实现2nm的分辨率。
PD:这些技术似乎令人兴奋,但实验室开发的技术并不意味着它可以非常快速地商业化。布鲁克海文实验室的1纳米工艺基于迪恩激光光刻技术,这是一种不是基于硅树脂的半导体材料,而是与当前的光刻工艺非常不同,因为它使用电子束使用基于Δε的硅氧烷材料,例如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)进行测试。
事实上,这不是科学家第一次实施1纳米工艺。去年,美国能源部另一个国家实验室劳伦斯伯克利国家实验室也宣布了1纳米工艺。他们使用碳纳米管和二硫化钼。
同样,由于这项技术使大规模生产很快成为制造商,晶体管碳纳米管将与当前的PMMA光刻电子束如此不同,因为当前的半导体工艺将完全存在。对于设备根本不可能你需要删除它。
美国半导体技术优势。UU这是坚定的,中国在这个领域远远落后。期望国内商业公司开发这些新技术是不可能的。?你有什么好的建议或意见吗?
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